Компания Rambus, один из крупнейших производителей модулей памяти для компьютеров и ноутбуков, сегодня сообщила о том, что разрабатывает модули памяти, работающие по принципиально новой технологии, которая позволит увеличить пропускную способность модулей памяти до 1 терабайта в секунду.

В Rambus отмечают, что спрос на такие модули несомненно будет велик, так как современные многоядерные процессоры обладают все большей производительностью и им требуются все большие объемы данных.

Новые чипы, создаваемые Rambus, будут отличаться от используемых сегодня традиционных чипов DRAM, более того, они практически не будут похожи используемые сейчас чипы Rambus XDR DRAM, которые используются в высокопроизводительных устройствах, например Playstation 3.

О новых разработках компания сообщила в рамках проходящего в Токио форума разработчиков аппаратного обеспечения для компьютеров. Представители Rambus говорят, что первоначально в рамках инициативы Terabyte Bandwidth Initiative будут созданы чипы с пропускной способностью 16 Гб/сек, а в последствии их полоса пропускания будет расширена и до 1 Тб/сек.

По словам докладчиков из Rambus, данная инициатива потребует от компании разработок в трех основных сферах. Во-первых, предстоит увеличить объемы передаваемых данных - на сегодня модули памяти DDR2 передают по два бита данных на один контакт за каждый такт, однако в Rambus намерены увеличить число передаваемых данных до 32 бит за такт. Во-вторых, необходимо будет использовать принципиально иную систему для декодирования информации от команд и адресов модулей. Первое поколение данной системы, которая получила название Fully Differential Memory Architecture, в Rambus уже разработано. Наконец в-третьих, компания намерена внедрить в модули памяти технологию FlexLink C/A (command/address), которая позволит максимально ускорить доступ к данным.

На сегодня в Rambus не представили план разработки новых чипов, однако сообщили, что в промышленную эксплуатацию новинки войдут к 2011 году. Также в Rambus не исключили возможности лицензирования новой технологии другим производителям памяти.